FQP4P40

onsemi

FQP4P40

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 400V 3.5A TO220-3

停产/老旧TO-220-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.1Ohm @ 1.75A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds680 pF @ 25 V
制造商onsemi
安装类型Through Hole
Product StatusObsolete
系列QFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

电气

漏源电压400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.5A (Tc)
最大功耗85W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-220-3
供应商器件封装TO-220-3

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)