FQE10N20LCTU

Name: FQE10N20LCTU
Brand: onsemi

模拟与电源

MOSFET N-CH 200V 4A TO126-3

停产/老旧TO-225AA, TO-126-3模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	360mOhm @ 2A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	490 pF @ 25 V
制造商	onsemi
安装类型	Through Hole
Product Status	Obsolete
系列	QFET®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA

漏源电压	200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4A (Tc)
最大功耗	12.8W (Tc)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)