FQD6P25TM

Name: FQD6P25TM
Brand: onsemi

模拟与电源

MOSFET P-CH 250V 4.7A DPAK

停产/老旧TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.1Ohm @ 2.35A, 10V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	780 pF @ 25 V
制造商	onsemi
安装类型	Surface Mount
Product Status	Obsolete
系列	QFET®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA

漏源电压	250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.7A (Tc)
最大功耗	2.5W (Ta), 55W (Tc)

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)