FQB7P20TM

onsemi

FQB7P20TM

模拟与电源

MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK

已停产TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs690mOhm @ 3.65A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds770 pF @ 25 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusLast Time Buy
系列QFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

电气

漏源电压200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.3A (Tc)
最大功耗3.13W (Ta), 90W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装D²PAK (TO-263)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)