FQA90N08

onsemi

FQA90N08

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 80V 90A TO3PN

停产/老旧TO-3P-3, SC-65-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs16mOhm @ 45A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3250 pF @ 25 V
制造商onsemi
安装类型Through Hole
Product StatusObsolete
系列QFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C90A (Tc)
最大功耗214W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-3P-3, SC-65-3
供应商器件封装TO-3PN

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)