FQA34N20L

onsemi

FQA34N20L

模拟与电源

MOSFET N-CH 200V 34A TO3P

停产/老旧TO-3P-3, SC-65-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs75mOhm @ 17A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs72 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3900 pF @ 25 V
制造商onsemi
安装类型Through Hole
Product StatusObsolete
系列QFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

电气

漏源电压200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C34A (Tc)
最大功耗210W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-3P-3, SC-65-3
供应商器件封装TO-3P

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)