FQA24N60

onsemi

FQA24N60

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 600V 23.5A TO3PN

在产TO-3P-3, SC-65-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs240mOhm @ 11.8A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5500 pF @ 25 V
制造商onsemi
安装类型Through Hole
Product StatusActive
系列QFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

电气

漏源电压600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C23.5A (Tc)
最大功耗310W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-3P-3, SC-65-3
供应商器件封装TO-3PN

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)