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FGY75T120SQDN

onsemi

FGY75T120SQDN

Datasheet

模拟与电源

IGBT 1200V 75A UFS

在产TO-247-3 Variant模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Gate Charge399 nC
IGBT TypeField Stop
输入类型Standard
制造商onsemi
安装类型Through Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)99 ns
Switching Energy6.25mJ (on), 1.96mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C64ns/332ns
Test Condition600V, 75A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic1.95V @ 15V, 75A

电气

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)150 A
Current - Collector Pulsed (Icm)300 A
Power - Max790 W

机械

封装Tube
Package / CaseTO-247-3 Variant
供应商器件封装TO-247-3

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)

相似元器件

根据 FGY75T120SQDN 系列、制造商或产品分类匹配的相似元器件。

需确认

该料号暂未匹配到相关元器件。