FFSM0465A

onsemi

FFSM0465A

Datasheet

模拟与电源

DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 4PQFN

在产4-PowerTSFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号FFSM0465
Capacitance @ Vr, F247pF @ 1V, 100kHz
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
技术SiC (Silicon Carbide) Schottky

电气

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.75 V @ 4 A
Current - Average Rectified (Io)4A
Current - Reverse Leakage @ Vr200 µA @ 650 V
速度No Recovery Time > 500mA (Io)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case4-PowerTSFN
供应商器件封装4-PQFN (8x8)

环境

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C