FFSD0865B

onsemi

FFSD0865B

Datasheet

模拟与电源

DIODE SIL CARB 650V 11.6A DPAK

在产TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号FFSD0865
Capacitance @ Vr, F336pF @ 1V, 100kHz
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
技术SiC (Silicon Carbide) Schottky

电气

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 8 A
Current - Average Rectified (Io)11.6A
Current - Reverse Leakage @ Vr40 µA @ 650 V
速度No Recovery Time > 500mA (Io)

机械

Package / CaseTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装TO-252 (DPAK)

环境

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C