FDZ209N

onsemi

FDZ209N

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 4A 12BGA

停产/老旧12-WFBGA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 4A, 5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds657 pF @ 30 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列PowerTrench®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Ta)
最大功耗2W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case12-WFBGA
供应商器件封装12-BGA (2x2.5)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)