FDZ191P

onsemi

FDZ191P

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP

停产/老旧6-UFBGA, WLCSP模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs85mOhm @ 1A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds800 pF @ 10 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列PowerTrench®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Ta)
最大功耗1.9W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case6-UFBGA, WLCSP
供应商器件封装6-WLCSP (1x1.5)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)