FDZ1323NZ

onsemi

FDZ1323NZ

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 20V 10A 6WLCSP

在产6-XFBGA, WLCSP模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs13mOhm @ 1A, 4.5V
基础料号FDZ1323
配置2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2055pF @ 10V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列PowerTrench®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

电气

漏源电压20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A
Power - Max500mW

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-XFBGA, WLCSP
供应商器件封装6-WLCSP (1.3x2.3)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)