FDV305N

onsemi

FDV305N

模拟与电源

MOSFET N-CH 20V 900MA SOT23

在产TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs220mOhm @ 900mA, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds109 pF @ 10 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列PowerTrench®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C900mA (Ta)
最大功耗350mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23-3

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)