FDV303N

Name: FDV303N
Brand: onsemi

模拟与电源

MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23

在产TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	450mOhm @ 500mA, 4.5V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	50 pF @ 10 V
制造商	onsemi
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±8V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA

漏源电压	25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.7V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	680mA (Ta)
最大功耗	350mW (Ta)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)