FDV302P-NB8V001

Name: FDV302P-NB8V001
Brand: onsemi

模拟与电源

MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23

在产TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	10Ohm @ 200mA, 4.5V
基础料号	FDV30
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	11 pF @ 10 V
制造商	onsemi
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA

漏源电压	25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	120mA (Ta)
最大功耗	350mW (Ta)

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)