FDV302P

onsemi

FDV302P

模拟与电源

MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23

停产/老旧TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs10Ohm @ 200mA, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds11 pF @ 10 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)-8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

电气

漏源电压25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.7V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C120mA (Ta)
最大功耗350mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23-3

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)