FDT86244

onsemi

FDT86244

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 150V 2.8A SOT223-4

在产TO-261-4, TO-261AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs128mOhm @ 2.8A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds395 pF @ 75 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列PowerTrench®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.8A (Tc)
最大功耗2.2W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装SOT-223-4

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)