FDT86102LZ

Name: FDT86102LZ
Brand: onsemi

模拟与电源

MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4

在产TO-261-4, TO-261AA模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	28mOhm @ 6.6A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1490 pF @ 50 V
制造商	onsemi
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	PowerTrench®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA

漏源电压	100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6.6A (Ta)
最大功耗	2.2W (Ta)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)