FDT439N

Name: FDT439N
Brand: onsemi

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT223-4

在产TO-261-4, TO-261AA模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	45mOhm @ 6.3A, 4.5V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	500 pF @ 15 V
制造商	onsemi
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±8V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA

漏源电压	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6.3A (Ta)
最大功耗	3W (Ta)

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)