FDS5170N7

onsemi

FDS5170N7

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 10.6A 8SO

停产/老旧8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 10.6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2889 pF @ 30 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列PowerTrench®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10.6A (Ta)
最大功耗3W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
供应商器件封装8-SO FLMP

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)