FDPF20N50T

onsemi

FDPF20N50T

模拟与电源

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

在产TO-220-3 Full Pack模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs230mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs59.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3120 pF @ 25 V
制造商onsemi
安装类型Through Hole
Product StatusActive
系列UniFET™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

电气

漏源电压500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Tc)
最大功耗38.5W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
供应商器件封装TO-220F-3

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)