FDP14AN06LA0

onsemi

FDP14AN06LA0

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO220-3

停产/老旧TO-220-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs11.6mOhm @ 67A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2900 pF @ 25 V
制造商onsemi
安装类型Through Hole
Product StatusObsolete
系列PowerTrench®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta), 67A (Tc)
最大功耗125W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-220-3
供应商器件封装TO-220-3

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)