FDN372S

onsemi

FDN372S

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 2.6A SUPERSOT3

停产/老旧TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 2.6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds630 pF @ 15 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列PowerTrench®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 1mA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.6A (Ta)
最大功耗500mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23-3

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)