FDN357N

onsemi

FDN357N

模拟与电源

FDN357N - SMALL SIGNAL FIELD-EFF

在产TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 2.2A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds235 pF @ 10 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.9A (Ta)
最大功耗500mW (Ta)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23-3

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)