FDN306P

Name: FDN306P
Brand: onsemi

模拟与电源

MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3

在产TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	40mOhm @ 2.6A, 4.5V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1138 pF @ 6 V
制造商	onsemi
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	PowerTrench®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±8V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA

漏源电压	12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.6A (Ta)
最大功耗	500mW (Ta)

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)