FDMT80040DC

onsemi

FDMT80040DC

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 40V 420A 8PQFN

在产8-PowerVDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.56mOhm @ 64A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs338 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds26110 pF @ 20 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C420A (Tc)
最大功耗156W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
供应商器件封装8-Dual Cool™88

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)