FDMS86320

onsemi

FDMS86320

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 80V 10.5A/22A 8PQFN

在产8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs11.7mOhm @ 10.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2640 pF @ 40 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列PowerTrench®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

电气

漏源电压80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)8V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10.5A (Ta), 22A (Tc)
最大功耗2.5W (Ta), 69W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装8-PQFN (5x6)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)