FDMS86200DC

onsemi

FDMS86200DC

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 150V 9.3A DLCOOL56

在产8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs17mOhm @ 9.3A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2955 pF @ 75 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列Dual Cool™, PowerTrench®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.3A (Ta), 28A (Tc)
最大功耗3.2W (Ta), 125W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装8-PQFN (5x6)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)