FDMS8050

onsemi

FDMS8050

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CHANNEL 30V 55A 8PQFN

已停产8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.65mOhm @ 55A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds22610 pF @ 15 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusNot For New Designs
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 750µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C55A (Tc)
最大功耗156W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装8-PQFN (5x6)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)