FDMS5672

onsemi

FDMS5672

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP

在产8-PowerWDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs11.5mOhm @ 10.6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2800 pF @ 30 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列UltraFET™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10.6A (Ta), 22A (Tc)
最大功耗2.5W (Ta), 78W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerWDFN
供应商器件封装8-MLP (5x6), Power56

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)