FDMS4D0N12C

Name: FDMS4D0N12C
Brand: onsemi

模拟与电源

MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN

在产8-PowerTDFN模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	4mOhm @ 67A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6460 pF @ 60 V
制造商	onsemi
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	PowerTrench®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 370A

漏源电压	120 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	18.5A (Ta), 114A (Tc)
最大功耗	2.7W (Ta), 106W (Tc)

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)