FDMS3686S

onsemi

FDMS3686S

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56

停产/老旧8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs8mOhm @ 13A, 10V
基础料号FDMS36
配置2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1785pF @ 10V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列PowerTrench®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.7V @ 250µA

电气

漏源电压30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A, 23A
Power - Max1W

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装Power56

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)