FDMQ86530L

onsemi

FDMQ86530L

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLP

在产12-WDFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs17.5mOhm @ 8A, 10V
基础料号FDMQ86530
配置4 N-Channel (Full Bridge)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2295pF @ 30V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列GreenBridge™ PowerTrench®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A
Power - Max1.9W

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case12-WDFN Exposed Pad
供应商器件封装12-MLP (5x4.5)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)