FDMJ1032C

onsemi

FDMJ1032C

模拟与电源

MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.5A SC75

停产/老旧6-WFDFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 3.2A, 4.5V
基础料号FDMJ1032
配置N and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds270pF @ 10V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列PowerTrench®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

电气

漏源电压20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.2A, 2.5A
Power - Max800mW

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case6-WFDFN Exposed Pad
供应商器件封装SC-75, MicroFET

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)