FDMJ1023PZ

onsemi

FDMJ1023PZ

模拟与电源

MOSFET 2P-CH 20V 2.9A SC75

停产/老旧6-WFDFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs112mOhm @ 2.9A, 4.5V
基础料号FDMJ1023
配置2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds400pF @ 10V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列PowerTrench®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

电气

漏源电压20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.9A
Power - Max700mW

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case6-WFDFN Exposed Pad
供应商器件封装SC-75, MicroFET

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)