FDMD86100

onsemi

FDMD86100

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 100V 10A 8PWR 5X6

在产8-PowerWDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs10.5mOhm @ 10A, 10V
基础料号FDMD86
配置2 N-Channel (Dual) Common Source
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2060pF @ 50V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列PowerTrench®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A
Power - Max2.2W

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerWDFN
供应商器件封装8-Power 5x6

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)