FDMD8530

onsemi

FDMD8530

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 30V 35A POWER56

停产/老旧8-PowerWDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.25mOhm @ 35A, 10V
基础料号FDMD85
配置2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs149nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds10395pF @ 15V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列PowerTrench®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C35A
Power - Max2.2W

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerWDFN
供应商器件封装Power56

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)