FDMD8260L

onsemi

FDMD8260L

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 60V 15A 12POWER

停产/老旧12-PowerWDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.8mOhm @ 15A, 10V
基础料号FDMD8260
配置2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs68nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5245pF @ 30V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列PowerTrench®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A
Power - Max1W

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case12-PowerWDFN
供应商器件封装12-Power3.3x5

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)