FDMC89521L

onsemi

FDMC89521L

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 60V 8.2A 8PWR33

在产8-PowerWDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs17mOhm @ 8.2A, 10V
基础料号FDMC89521
配置2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1635pF @ 30V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列PowerTrench®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.2A (Ta)
Power - Max1.9W (Ta), 16W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerWDFN
供应商器件封装8-Power33 (3x3)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)