FDMC86261P

Name: FDMC86261P
Brand: onsemi

模拟与电源

MOSFET P-CH 150V 2.7A/9A 8MLP

在产8-PowerWDFN模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	160mOhm @ 2.4A, 10V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1360 pF @ 75 V
制造商	onsemi
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	PowerTrench®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±25V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA

漏源电压	150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.7A (Ta), 9A (Tc)
最大功耗	2.3W (Ta), 40W (Tc)

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)