FDMC86244

onsemi

FDMC86244

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 150V 2.8A/9.4A 8MLP

在产8-PowerWDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs134mOhm @ 2.8A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds345 pF @ 75 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列PowerTrench®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.8A (Ta), 9.4A (Tc)
最大功耗2.3W (Ta), 26W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerWDFN
供应商器件封装8-MLP (3.3x3.3)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)