FDMC86012

onsemi

FDMC86012

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 23A POWER33

在产8-PowerWDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.7mOhm @ 23A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5075 pF @ 15 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列PowerTrench®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C23A (Ta)
最大功耗2.3W (Ta), 54W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerWDFN
供应商器件封装Power33

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)