FDMC7672

onsemi

FDMC7672

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 16.9A/20A 8MLP

在产8-PowerWDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.7mOhm @ 16.9A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3890 pF @ 15 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列PowerTrench®, SyncFET™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16.9A (Ta), 20A (Tc)
最大功耗2.3W (Ta), 33W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerWDFN
供应商器件封装8-MLP (3.3x3.3)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)