FDMC6679AZ

onsemi

FDMC6679AZ

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP

已停产8-PowerWDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 11.5A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3970 pF @ 15 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusNot For New Designs
系列PowerTrench®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11.5A (Ta), 20A (Tc)
最大功耗2.3W (Ta), 41W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerWDFN
供应商器件封装8-MLP (3.3x3.3)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)