FDMC013P030Z

onsemi

FDMC013P030Z

Datasheet

模拟与电源

P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET -30

在产8-PowerWDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs7mOhm @ 14A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5785 pF @ 15 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C54A (Tc)
最大功耗30W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / Case8-PowerWDFN
供应商器件封装8-MLP (3.3x3.3)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)