FDMC008N08C

onsemi

FDMC008N08C

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN

在产8-PowerWDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.8mOhm @ 21A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2150 pF @ 40 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列PowerTrench®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 120µA

电气

漏源电压80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A (Tc)
最大功耗57W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerWDFN
供应商器件封装8-PQFN (3.3x3.3), Power33

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)