FDMC007N30D

onsemi

FDMC007N30D

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 30V 46A 8PWR33

在产8-PowerWDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs11.6mOhm @ 10A, 10V
基础料号FDMC007
配置2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1110pF @ 15V, 2360pF @ 15V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C46A
Power - Max1.9W, 2.5W

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerWDFN
供应商器件封装8-Power33 (3x3)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)