FDMB506P

onsemi

FDMB506P

模拟与电源

MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP

停产/老旧8-PowerWDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 6.8A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2960 pF @ 10 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列PowerTrench®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.8A (Ta)
最大功耗1.9W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerWDFN
供应商器件封装8-MLP, MicroFET (3x1.9)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)