FDMB2308PZ

onsemi

FDMB2308PZ

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2P-CH 6MLP

在产6-WDFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs36mOhm @ 5.7A, 4.5V
基础料号FDMB2308
配置2 P-Channel (Dual) Common Drain
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3030pF @ 10V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列PowerTrench®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

电气

Power - Max800mW

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-WDFN Exposed Pad
供应商器件封装6-MLP (2x3)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)